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產(chǎn)品說明 |
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SX1934型四探針測試儀是根據(jù)單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測試專用儀器。
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儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用旋扭式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài) LED 指示。應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù),使得測量讀數(shù)更加直觀、快速。整套儀器體積小、功耗低、測量精度高、測試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。 |
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SX1934四探針測試儀可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對材料(棒材、片材、塊狀)電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測量的需要。 |
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產(chǎn)品外觀 |
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附件說明 |
1、探頭 |
SX系列四探針探頭是采用綜合性能優(yōu)異的電鍍鋼、機(jī)械結(jié)構(gòu)優(yōu)良彈簧片、耐磨和硬度高的探針研制的測量數(shù)據(jù)穩(wěn)定、可靠、準(zhǔn)確度高、耐用性能好四探針探頭。所有技術(shù)指標(biāo)符合國家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合ASTM標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)規(guī)定。 |
* 由于采用了綜合性能優(yōu)異的電鍍鋼四探針探頭有如下特點(diǎn): |
① 耐腐蝕,除氧化性介質(zhì)外,可以耐幾乎所有的無機(jī)物質(zhì)腐蝕; |
② 低吸濕,在23℃水中經(jīng)24小時(shí)浸泡后吸水率小于0.05%; |
③ 阻燃性好,其氧指數(shù)大于40,為UV—94V—00/5—V級; |
④ 耐高溫,長期使用溫度100℃; |
* 技術(shù)參數(shù): |
① 探針間距:1±0.010mm; |
② 探針材料:高速鋼或碳化鎢; |
③ 探針壓力:5~8牛頓或12~16牛頓; |
④ 探針機(jī)械游移率:小于1%; |
⑤ 探針伸出的長度:2mm; |
⑥ 針尖錐體夾角:60°; |
⑦ 針間絕緣電阻:大于109Ω; |
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2、測試架
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*.專為實(shí)驗(yàn)室使用而制作的。該測試臺設(shè)計(jì)別致、操作簡易、重量輕、并有微調(diào)手輪,便于探針與樣品的精確接觸。 |
*.載物臺:方盤220mm×230mm,帶刻度線,便于準(zhǔn)確定位,圓盤φ15—100mm |
*.有效行程:40mm; 重量:3kg |
*.粗調(diào)手輪:20mm/圈。 |
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詳細(xì)參數(shù) |
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電阻率:10-4—105Ω.cm(可擴(kuò)展);方塊電阻(薄層電阻):10-3—104Ω/□;
電阻:10-6—105Ω
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可測晶片直徑(最大) |
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電流量程分為0.01、0.1、1、10、100(mA)五檔,
各檔電流連續(xù)可調(diào)
誤差≤±0.5%。
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量程:0.2mV;2mV;20mV;200mV;2V
最大分辨率:0.1μV
顯示:三位半數(shù)字顯示;極性、過載自動(dòng)顯示;小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示
輸入阻抗:0.2mV和2mV量程:>106Ω;其它量程:>108Ω
精度:±0.5%。
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最大電阻測量誤差(按JJG508-87進(jìn)行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±0.5%讀數(shù)±2個(gè)字
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間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機(jī)械游移率:≤1.0%
探針壓力:TZT-9A/9B: 12-16牛頓(總力)TZT-9C/9D 5-8 牛頓(總力)
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用硅標(biāo)樣片測試)≤5% (0.01-180Ω.cm |
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測試環(huán)境
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溫度23±2℃;相對濕度≤65%;無高頻干擾;無強(qiáng)光照射 |
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220V±10%(50Hz)
功耗:≤35W |
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